各種物質の光学定数ー波長固定

表　　各種物質の光学定数
番号 導電性 物質名 波長1　nm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長2　nm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長3　nm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長4　nm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長5　nm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長6　μm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料 番号 波長7　μm 屈折率 n 消衰係数　k 引用資料
1 解析例１ ITO 300.0 2.250 0.0709 1 400.00 1.959 0.02087 1 500.0 1.801 0.02051 1 600.0 1.670 0.02053 1 800.0 1.360 0.07 1 1
2 解析例２ MoSiON 248.0 1.999 0.6225 2 365.00 2.215 0.5116 2 436.0 2.218 0.4807 2 546.0 2.234 0.4518 2 600.0 2 2
3 ITO 300.0 2.230 0.0700 3 500.00 1.800 0.0100 3 800.0 1.370 0.0700 3 1200.0 0.375 0.9000 3 2500.0 0.660 3.8600 Bender M,et al 3 3 Bender et al
4 MoSi-O 193.0 1.655 0.2580 4 248.00 1.660 0.1920 4 365.0 1.635 0.0700 4 488.0 1.570 0.0670 4 546.0 1.530 0.0620 4 4 Smith et al
5 MoSiON(KrF用） 248.0 2.046 0.6058 5 365.00 2.220 0.4930 5 436.0 2.244 0.4583 5 488.0 2.254 0.4419 5 5 5 Isao A
6 サーメット Al/AlN cermet 13%N2/Ar 193.0 2.440 0.4400 6 500.00 2.060 0.1950 6 6 6 6 6 Smith et al
7 サーメット Cr2O3-29vol%Cr 250.0 1.960 1.8000 7 365.00 2.213 1.4130 7 550.0 2.670 1.0940 7 800.0 2.970 0.8280 7 7 7 Fan and Spura
8 金属 Al , 蒸着 160.0 0.080 1.7300 AIPH 4,5 8 240.00 0.160 2.0000 AIPH 4,5 8 Al 360nm 0.340 4.0100 AIPH 5 8 546.0 0.820 5.9900 AIPH 5 8 800.0 1.990 7.0500 AIPH 6,7 8 4μm Al 6.100 30.4000 AIPHⅠ[8] 8 12μm 33.100 78.0000 AIPH 8
9 金属 Ag , 蒸着 160.3 0.940 0.8600 AIPH 84 9 250.00 1.390 1.3400 AIPH 481 9 365.0 0.070 1.6000 AIPH 81 9 550.0 0.055 3.3200 AIPH 5(6,7) 9 Ag 800 nm 0.090 5.4500 AIPH(6,7) 9 4 μm Ag 2.340 26.9000 AIPHⅠ[45] 9 12μm 12.800 67.8000 AIPH 45
10 金属 Cr 155.0 0.680 1.0700 HOCⅡ [3,8] 10 248.00 0.850 2.0100 HOCⅡ[3,8] 10 362.5 1.390 3.2400 HOCⅡ[3,8] 10 558.5 3.180 4.4100 HOCⅡ[3,8] 10 815.7 4.230 4.3400 HOCⅡ[3,8] 10 4.13μmCr 3.150 14.3000 HOCⅡ[3,8] 10 12.4μm 11.800 29.8000 HOCⅡ[3,8]
11 金属 Mo 156.9 0.697 1.7700 HOCⅠ[19][10] 11 248.00 1.460 3.6200 HOCⅠ[19][10] 11 364.7 3.060 3.1900 HOCⅠ[19][10] 11 563.6 3.760 3.4100 HOCⅠ[19][10] 11 826.6 3.530 3.3000 HOCⅠ[19][10] 11 4.13μmMo 2.440 23.8000 AIPHⅠ[19] [10] 11 10.33 μm 13.400 58.4000 HOCⅠ[19][10]
12 半導体 a-Si 155.0 0.660 1.6000 HOCⅠ[17] 12 248.00 1.690 2.7600 HOCⅠ[1] 12 364.7 3.900 2.6600 HOCⅠ[1] 12 563.6 4.360 0.6900 HOCⅠ[1] 12 826.6 3.860 0.0812 HOCⅠ[1] 12 4.725μmSi 2.970 0.0102 HOCⅠ[7][4] 12 20.8μa-Si 3.620 5.9400 HOCⅠ[7] [8]
13 半導体 Ge 155.0 0.920 1.4000 HOCⅠ[1] 13 248.00 1.394 3.1970 HOCⅠ[19] 13 364.7 4.070 2.5790 HOCⅠ[19] 13 Ge 553.5 5.198 2.1250 HOCⅠ[19] 13 805.1 4.684 0.3160 HOCⅠ[19] 13 10μm Ge 4.004 0.0000143 HOCⅠ[6] [11] 13 20μm 3.999 2.3900 HOCⅠ[6] [8]
14 半導体 GaAs 155.0 0.899 1.435 HOCⅠ[9,19] 14 GaAs 248 2.273 4.084 HOCⅠ[8] 14 364.7 3.596 2.076 HOCⅠ[8] 14 553.5 4.045 0.294 HOCⅠ[8] 14 805.1 3.679 0.085 HOCⅠ[8] 14 12.4μm 3.2597 0.00000493 HOCⅠ[5] [4] 14 29.41μm 2.77 0.0113 HOCⅠ[2,3] [2,3]
15 絶縁体 CaF2 116.2 2.017 0.49 HOCⅡ [41,41] 15 160.50 1.607 0 HOCⅡ [41,41] 15 240.0 1.4712 0 HOCⅡ [42] 15 540.0 1.43512 0 HOCⅡ [42] 15 800.0 1.43052 0 HOCⅡ [42] 15 10μm 1.306 0.0029 HOCⅡ [51] [51] 15 30.7μCaF2 0.317 2.235 HOCⅡ [51] [51]
16 絶縁体 a-C:H No.1 170.0 1.957 0.705 HOCⅡ[33-35]→ 16 195.00 1.928 0.748 16 250.0 2.004 0.825 16 360 a-C:H 2.312 0.881 16 550.0 2.672 0.717 16 1μm 2.951 0.442 16 2.5μm 3.125 0.16 ←HOCⅡ[33-35]
17 絶縁体 ＭｇＦ２ 100.0 1.222 0.545 HOCⅡ[23] 17 112.70 1.538 0.063 HOCⅡ[23] 17 150.0 1.484 0 HOCⅡ[23] 17 560.0 1.37829 0 HOCⅡ[27] 17 800.0 1.37506 0 HOCⅡ[27] 17 5μm 1.33404 4.20E-07 HOCⅡ[27] [51] 17 20μmMgF2 0.17 1.9 HOCⅡ[51] [51]
18 絶縁体 Al2O3(sapphire) 124.0 2.519 0.629 HOCⅡ[1] 18 155.00 2.074 0.032 HOCⅡ[1] 18 177.1 1.939 0.007 HOCⅡ[1] 18 563.6 1.77 0 HOCⅡ[1] 18 826.7 1.759 0 HOCⅡ[1] 18 5.556μm 1.624 0.002 HOCⅡ[9] [9] 18 20μAl2O3 1.674 1.002 HOCⅡ[12] [12]
19 19 19 19 19 19 19


解析例他光学定数散布図



金属の光学定数散布図（対数目盛）

半導体の光学定数散布図


絶縁体の光学定数散布図